產(chǎn)品目錄 PRODUCT
- IGBT模塊
- 英飛凌IGBT模塊
- 英飛凌整流橋
- 英飛凌二極管
- 英飛凌可控硅
- 英飛凌模塊
- ABB模塊
- ABB可控硅
- ABB變頻器維修配件
- 西門康模塊
- 西門康IGBT模塊
- 西門康IGBT智能模塊
- 西門康大功率模塊
- 西門康二極管
- 西門康整流橋
- 西門康可控硅模塊
- 西門子IGBT模塊
- 西門子可控硅
- 西門子變頻器配件
- 三菱IGBT模塊
- 三菱整流橋
- 三菱GTR模塊(達(dá)林頓)
- 三菱IPM智能模塊
- 三菱IGBT快恢復(fù)二極管模塊
- 三菱IGBT可控硅模塊
- 三菱PIM整流逆變集成
- EUPEC IGBT
- EUPCE模塊
- EUPEC平板可控硅
- EUPEC可控硅
- EUPEC 二極管
- EUPEC整流橋
- IXYS 整流橋
- IXYS可控硅
- IXYS二極管
- 富士IGBT
- 富士整流橋
- 富士IGBT可控硅
- 富士變頻器維修配件
- 富士IPM智能模塊
- 富士IGBT二極管模塊
- 富士GTR模塊(達(dá)林頓)
- 東芝IGBT
- 東芝可控硅模塊
- 東芝智能型IGBT
- 東芝GTR模塊(達(dá)林頓)
- 東芝復(fù)合模塊PIM
- 東芝二極管模塊
- 瑞士驅(qū)動模塊
- 二極管
- 三社二極管
- 三社達(dá)林頓模塊
- 三社可控硅模塊
- 三社整流橋
- 西班牙廠家整流橋
- 三墾IGBT模塊
- 三墾GTR模塊(達(dá)林頓)
- 三墾智能型IPM
- IR IGBT模塊
- 西瑪可控硅
- 羅蘭快速熔斷器
- 富士熔斷器
- 美國BUSSMAN快熔
- 電解電容 高頻無感電容
- 光耦
- 場效應(yīng)模塊
- IR可控硅
新聞詳情
富士電機(jī)電子技術(shù)上市額定電壓1200V和1700V的IGBT模塊
日期:2024-08-19 16:30
瀏覽次數(shù):2092
摘要:富士電機(jī)電子技術(shù)上市額定電壓1200V和1700V的IGBT模塊
富士電機(jī)電子技術(shù)公司擴(kuò)充了該公司IGBT模塊“U4系列”的產(chǎn)品線,新上市額定電壓高達(dá)1200V及1700V、額定電流為600~3600A的“HighPowerModule”。封裝尺寸與現(xiàn)有產(chǎn)品相同,可支持更大的額定電流。將用于產(chǎn)業(yè)用高壓大容量逆變器及風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的電力轉(zhuǎn)換裝置等用途。
備有額定電壓為1200V、額定電流為600/800/1200/1600/2400/3600A的型號,以及額定電壓為1700V、額定電流為600/800/1200/1600/2400/3600A的型號。通過在底板材料中采用SiN(氮化硅)提高了熱傳導(dǎo)性。電...
富士電機(jī)電子技術(shù)上市額定電壓1200V和1700V的IGBT模塊
富士電機(jī)電子技術(shù)公司擴(kuò)充了該公司IGBT模塊“U4系列”的產(chǎn)品線,新上市額定電壓高達(dá)1200V及1700V、額定電流為600~3600A的“HighPowerModule”。封裝尺寸與現(xiàn)有產(chǎn)品相同,可支持更大的額定電流。將用于產(chǎn)業(yè)用高壓大容量逆變器及風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的電力轉(zhuǎn)換裝置等用途。
備有額定電壓為1200V、額定電流為600/800/1200/1600/2400/3600A的型號,以及額定電壓為1700V、額定電流為600/800/1200/1600/2400/3600A的型號。通過在底板材料中采用SiN(氮化硅)提高了熱傳導(dǎo)性。電極結(jié)構(gòu)為溝道型。在抑制噪音的同時(shí),降低了電力損失。
該公司將于08年10月1日上市額定電壓為1200V及1700V、額定電流為600/800/1200/1600A的10種產(chǎn)品。封裝尺寸方面,無論封裝1個(gè)還是封裝2個(gè),10種產(chǎn)品均為130mm×140mm×38mm。而額定電壓為1200V及1700V、額定電流為2400/3600A的型號將于08年12月1日上市。各型號的標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格為5萬~10萬日元。目標(biāo)為到09年每月銷售5000個(gè)。
將于08年10月1日上市的10種產(chǎn)品的型號、額定電壓、額定電流及封裝構(gòu)成如下。
“2MBI600U4G-120” (1200V/ 600A, 一組2個(gè))
“2MBI800U4G-120” (1200V/ 800A, 一組2個(gè))
“2MBI1200U4G-120”(1200V/1200A, 一組2個(gè))
“1MBI1200U4C-120”(1200V/1200A, 一組1個(gè))
“1MBI1600U4C-120”(1200V/1600A, 一組1個(gè))
“2MBI600U4G-170” (1700V/ 600A, 一組2個(gè))
“2MBI800U4G-170” (1700V/ 800A, 一組2個(gè))
“2MBI1200U4G-170”(1700V/1200A, 一組2個(gè))
“1MBI1200U4C-170”(1700V/1200A, 一組1個(gè))
“1MBI1600U4C-170”(1700V/1600A, 一組1個(gè))
富士電機(jī)電子技術(shù)公司擴(kuò)充了該公司IGBT模塊“U4系列”的產(chǎn)品線,新上市額定電壓高達(dá)1200V及1700V、額定電流為600~3600A的“HighPowerModule”。封裝尺寸與現(xiàn)有產(chǎn)品相同,可支持更大的額定電流。將用于產(chǎn)業(yè)用高壓大容量逆變器及風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的電力轉(zhuǎn)換裝置等用途。
備有額定電壓為1200V、額定電流為600/800/1200/1600/2400/3600A的型號,以及額定電壓為1700V、額定電流為600/800/1200/1600/2400/3600A的型號。通過在底板材料中采用SiN(氮化硅)提高了熱傳導(dǎo)性。電極結(jié)構(gòu)為溝道型。在抑制噪音的同時(shí),降低了電力損失。
該公司將于08年10月1日上市額定電壓為1200V及1700V、額定電流為600/800/1200/1600A的10種產(chǎn)品。封裝尺寸方面,無論封裝1個(gè)還是封裝2個(gè),10種產(chǎn)品均為130mm×140mm×38mm。而額定電壓為1200V及1700V、額定電流為2400/3600A的型號將于08年12月1日上市。各型號的標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格為5萬~10萬日元。目標(biāo)為到09年每月銷售5000個(gè)。
將于08年10月1日上市的10種產(chǎn)品的型號、額定電壓、額定電流及封裝構(gòu)成如下。
“2MBI600U4G-120” (1200V/ 600A, 一組2個(gè))
“2MBI800U4G-120” (1200V/ 800A, 一組2個(gè))
“2MBI1200U4G-120”(1200V/1200A, 一組2個(gè))
“1MBI1200U4C-120”(1200V/1200A, 一組1個(gè))
“1MBI1600U4C-120”(1200V/1600A, 一組1個(gè))
“2MBI600U4G-170” (1700V/ 600A, 一組2個(gè))
“2MBI800U4G-170” (1700V/ 800A, 一組2個(gè))
“2MBI1200U4G-170”(1700V/1200A, 一組2個(gè))
“1MBI1200U4C-170”(1700V/1200A, 一組1個(gè))
“1MBI1600U4C-170”(1700V/1600A, 一組1個(gè))